РАЗРАБОТКА ИННОВАЦИОННОЙ МЕТОДИКИ АНАЛИЗА качества ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРО- И НАНОСТРУКТУР
Создаем. Оптимизируем. Внедряем.
Руководители проекта
  • Бондаренко Анна Витальевна
    Идейный вдохновитель
  • Бурко Александр Александрович
    Научный руководитель
  • Янушкевич Константин Олегович
    Соруководитель
  • Виктория Дмитриева
    Химик-экспериментатор
  • Антон Анищенко
    Химик-программист
  • Николай Романов
    Химик-химик (теоретик)
  • Егор Смирнов
    Инженер-технолог
  • Мария Северова
    Инженер-программист
  • Золотухина Дарья
    Химик-аналитик
Актуальность
Полупроводниковые технологии в микроэлектронике развиваются, а микросхемы уменьшаются, следовательно микроэлектронные компоненты нуждаются в изучении в процессе производства
Цель
Разработать инновационную методику анализа и контроля параметров полупроводниковых наноструктур при их производстве
Задачи
1. Разработать методику
Формирование наноструктурированных плазмонных покрытий
2. Изучить закономерности синтеза
Формирование и свойства плазмонных покрытий
3. Установить закономерности свойств
Между морфологией, SERS-активностью плазмонных покрытий и электрофизическими свойствами кремния
4. Апробировать полученную методику
Анализ структуры микро- и наноэлектронных устройств и мониторинга работы микрочипов при воздействии внешних факторов
Стратегия разработки
Очистка и осаждение
Для создания и дальнейшей отработки методики очистки и осаждения, брались кремниевые пластины, имитирующие чипы. Готовилась хромовая смесь для очистки пластин от органических загрязнений и налета, после чего происходило осаждение ионов серебра и меди иммерсионным способом
Декапсуляция
Получение новой методики декапсуляции микрочипов необходимо для осуществления контроля качества готовых микросхем. Наиболее эффективный - обработка в серной кислоте и лазерная зачистка
Рамановская спектроскопия и АСМ
Применение данных методов требуется для анализа эффективности плазмонного резонанса, который дает информацию о размерных и морфологических параметрах наночастиц и состоянии исследуемой поверхности микрочипа
Измерительный стенд
Производит вольтамперометрию образцов и расчет других электрофизических характеристик для оценки работоспособности
Результаты этапов
  • Первый этап
    • Разработана методика очистки образцов
    • Разработана методика декапсуляции микросхем химическим методом
    • Собран лазерный станок
  • Второй этап
    • Обновлена методика очистки образцов
    • Разработана методика осаждения Ag и Cu
    • Дополнена методика декапсуляции лазерным способом
    • Изучение и получение информации о первых образцах с АСМ
  • Третий этап
    • Разработали комбинированную методику декапсуляции чипов
    • Определили закономерности формирования плазмонных покрытий на кремнии
    • Разработали стенд для тестирования электрофизических параметров
    • Разработали технико-экономическое обоснование разработанной методики


Партнеры